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  根据IRDS,未来集成电路技术发展将主要集中在2个方向:一是继续遵循摩尔定律缩小晶体管特征尺寸(MoreMoore);二是向多类型方向发展、拓展摩尔定律(MoreThanMoore),即采用先进的封装技术。目前IC制造工艺已经实现3nm的商业化,受到良率、成本等影响,2nm及以下IC制造的商业化正在放缓;同时考虑到成本、技术实现等因素,MoreThanMoore的路线受到更多关注,台积电、英特尔、三星等头部大厂将重点逐渐转向封装工艺。

  先进封装工艺是在原来传统封装工艺上更新或增加了部分工艺,对设备的要求更高。更新工艺部分,对于传统工艺的性能标准在提升,例如背面减薄的翘曲度更平整,晶圆切割的速度、精度更高等,几乎原有传统工艺都在进行升级,使用的设备也在升级。增加工艺部分主要是前道制造基本工艺:光刻、溅射、电镀工艺、光刻胶去胶和金属刻蚀,其中需要用到的设备包括光刻机、PVD、CVD、电镀设备、涂胶显影设备、去胶机、刻蚀机、CMP、临时键合与解键合设备等。

  2020年各类传统封装设备的市场占比情况如下:贴片机市场占30%,引线%,划片和检测设备占总市场份额的28%,切筋与塑封设备占比18%,电镀设备在封装设备行业中占比最小,大约在1%左右。从国产化率来看,2017至2021年中国封装设备国产化率提升较慢,仅从1%提升至3%,其中引线键合、贴片机、划片机国产率提升均较慢,替代空间较大。

  前道制造设备国产率提升较快,技术下沉有望率先替代先进封装部分工艺。从半导体设备国产替代进度来看,去胶设备国产化率最高,超过90%;清洗设备、刻蚀设备、热处理设备、PVD设备、CMP设备等国产率均在10%以上;光刻设备及涂胶显影设备替代率较低,但是目前进展较为顺利,预计将有零的突破。前道制造设备制程以纳米级为主,后道封装设备以微米级为主,前道量产设备技术下沉能够覆盖微米级封装设备需求。

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